【推仔说新闻】三星明年完成3nm GAA工艺开发 性能提升35%

2019年9月14日09时59分内容来源:笔吧评测室

大家应该都知道在前段时间日本和韩国开始进入了“撕逼”模式,双方在贸易上面互相制裁,扯后腿、下绊子,就像我们熟知的,日本在前段时间正式对半导体行业所必要的高纯氟化氢、光刻胶等重要原材料的对韩出口实施管制。

其实这个管控已经得到了部分放宽,毕竟按照日本官方所称经过审批后还是可以得到出口的。不过这似乎并没有影响到三星在日本举行的名为“三星晶圆代工论坛”的会议举办,在此次的会议上面,三星向外界公布了旗下新一代工艺的进展,其中3nm工艺明年就完成开发了。

相较于隔壁的台积电,三星在先进工艺领域,不管是10nm、7nm还是5nm节点,其进度都比台积电晚一些,这也是侧面导致了目前台积电几乎包揽了所有7nm芯片订单,而三星自己只拿到了IBM、NVIDIA及部分高通的订单。

但是作为代工大厂的三星,也不会像GF那样放弃自己的工艺研发,他们将节点直接瞄准到了3nm工艺上,并宣称将于2021年量产。

值得一提的是,在3nm节点之后,三星的工艺将得到根本性的转变,从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管,而本文中着重提及的3nm工艺所使用的将是第一代GAA晶体管,三星称其为3GAE工艺。

三星称,在采用了这种GAA晶体管结构之后,他们制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管,它可以显著增强晶体管性能。

不仅如此,MBCFET还兼容现有的FinFET的技术及设备,从而加速工艺研发和量产。

而最让用户们所关心的性能方面,三星同样也给出了自己的答案,采用3nm工艺的核心相较于先的7nm工艺,其核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%

在推仔看来先不说三星这么搞是不是打算化身成为PPT大厂,但是按照三星此前的研发路线图,在这次会议上面公布有关3nm工艺的更多细节从时间来看也到时候了,考虑到目前韩日之间的贸易战也着实让三星如坐针毡,放出一些利好也不足为奇。

更何况就像文中所说,三星依然在之前的工艺上面落后了,如果3nm再不加快脚步,怕还是要在台积电屁股后面吃灰好久了。


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